施敏院士讲学通知
来源:交大新闻网 日期:2006-03-30 22:44 点击:
应西安交通大学校长郑南宁教授的邀请,台湾新竹交通大学施敏教授将于今年4月7日访问西安交通大学,并将于4月10日至4月28日举办为期三周的《半导体物理及器件》课程高级讲习班 Title:SEMICONDUCTOR PHYSICS AND DEVICES Contents: 1、Semiconductor Physics 2、P-N Junction 3、MOS Diode 4、MOSFET Fundamentals 5、MOSFET Related Devices(DRAM, SRAM, NVSM, 5-nm FinFET, etc) Duration:3 Week Intensive Course, April 10 to April 28,2006 Lecture Hours: 2 hours/day, 6 hours/week, total 18 hours: 第一周 4月10日(周一)上午(10:00~12:00)上课 4月11日(周二)上午(10:00~12:00)上课 4月12日(周三)上午(10:00~12:00)上课 教学主楼B404 第二周 4月17日(周一)下午(10:00~12:00)上课 4月18日(周二)上午(10:00~12:00)上课 4月19日(周三)上午(10:00~12:00)上课 教学主楼B404 第三周 4月24日(周一)下午(10:00~12:00)上课 4月25日(周二)上午(10:00~12:00)上课 4月26日(周三)上午(10:00~12:00)上课 教学主楼B404
讲习班的听课对象为从事半导体物理、器件及材料等相关学科的中青年教师、研究生及本科生。讲习班提供教材(免收听课费用,教材、讲义费三本,120元),名额约为200人左右,欢迎参加。愿意听课人员,请与西安交通大学电子科学与技术系耿莉老师联系: 地 址:西安交通大学电子科学与技术系 邮编:710049 电 话:029-82663426 传真:029-82663426
施敏教授简介: 中国工程院外籍院士,美国工程院院士,中国台湾中央研究院院士,IEEE终身Fellow。中国台湾新竹交大教授,美国斯坦福大学荣誉教授。曾获得IEEE电子器件的最高荣誉奖(Ebers奖),并获得过三次诺贝尔奖提名。在半导体器件物理及技术方面有开创性工作,其发明的“浮门非挥发半导体记忆元件”(floating-gate nonvolatile semiconductor memory),包括EPROM和flash memory,是移动电话、笔记本计算机、智能IC卡、数码相机、DVD、GPS、PDA和可携带电子系统的关键元件。施敏教授著作无数,《Physics of Semiconductor Devices》被翻译成六国文字,发行量逾百万册并广泛用作教科书与参考书。
施敏教授的其它相关资料可参阅http://www.shijiazhi.nease.net/smzj.htm
文章作者:电信学院 张瑞智
责任编辑:左尧
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